型号: | RJK0226DNS-00#J5 | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | Renesas Electronics America | 描述: | MOSFET N-CH 25V 40A 8-HVSON |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.8 毫欧 @ 20A,8V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 6020pF @ 10V |
功率 - 最大 | 30W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 8-HVSON |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | RJK0226DNS-00#J5-ND RJK0226DNS-00#J5TR |